芜湖九游会合金有限责任公司

用原位氧化聚合法将聚分子链插入层状五氧化二钒的片层中,从而制得了一系列聚/五氧化二钒(PAn/V2O5)杂化纳米复合材料。采用WAXD、FT-IR、TGA及四探针电导率测量等手段对产物进行表征,结果表明,聚分子以单层形式在受限的纳米空间(五氧化二钒的片层中)生成,聚以伸展的单分子链存在,自由电子得到充分离域,PAn/V2O5杂化材料室温电导率在10-3S/cm～10-2S/cm之间。

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视频作者：芜湖九游会合金有限责任公司

将黑色岩系(石煤)钒矿粉碎后与复合添加剂混合,经转窑氧化焙烧、水淬浸取与湿法球磨分级、双重搅拌动态浸取与交换、饱和树脂清洗与解吸、解吸液除杂与沉钒、粗钒脱水与脱氨等工序,生产出五氧化二钒。通过对上述各工序影响钒浸出率的因素进行综合试验与工业实践,总结出从黑色岩系(石煤)钒矿中提取五氧化二钒的新工艺。该工艺实现了石煤钒矿中钒的焙烧转化浸出率在80%以上,矿粉中钒的综合回收率大于70%,产品质量优于YB/T 5304—2006《五氧化二钒》98级的要求。

铜掺杂五氧化二钒的制备及电化学性质 采用沉淀法于300和600℃制备了结晶状的Cu0.04V2O5材料.扫描电镜显示,300℃时制备的样品具有多孔特征,而600℃时制备的样品具有很高的结晶度.X射线研究表明,少量铜掺杂不会改变V2O5的正交晶体结构.红外光谱研究表明,300℃时制备的Cu0.04V2O5样品含有少量水.热失重分析确定了样品中所含水分是以吸附水的形式存在,1mol材料分子吸附水的摩尔数约为0.18mol.铜掺杂显著改善了V2O5的结构稳定性,进而提高了材料的充放电循环性能.于600℃制备的样品在C/5.6倍率下具有160mAh·g-1的可逆比容量,但提高放电倍率明显降低了材料的循环性能.于300℃制备的样品在C/5.6倍率时的循环性能不如600℃样品,但该材料在C/1.9倍率时仍具有100mAh·g-1左右的可逆比容量.两种材料在电化学性能上的差异与材料的微结构有关.低温样品在较高放电倍率时良好的循环性能得益于其多孔的微结构,而高温样品由于其较高的结晶度而表现出优异的低倍率充放电性能.